AOB286L 与 IPP072N10N3 G 区别
| 型号 | AOB286L | IPP072N10N3 G | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOB286L | A-IPP072N10N3 G | ||||||||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | - | 4.4mm | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.7mΩ@20A,10V | 6.2mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 37ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 80V | 100V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 167W | 150W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 68nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 50S | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-263 | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 70A | 80A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||||||||
| 长度 | - | 10mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 9ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 19ns | ||||||||
| 高度 | - | 15.65mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 623 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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AOB286L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V ±20V 70A 167W 5.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥7.7551
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623 | 当前型号 | ||||||||||
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STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 219,300 | 对比 | ||||||||||
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PSMN5R6-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPP072N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 6.2mΩ 20V 150W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN6R5-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 210W 175°C 3V 80V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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